（台积电28 nm嵌入式闪存工艺）
这些使用SRAMCompilerIP开发的IP解决方案可帮助设计人员提高SoC的能源性能，如移动设备，电源管理，物联网和汽车电子。
硅智能系列有望在今年第三季度为客户提供设计集成。
正如M31 Comet Technology总裁林小平所说：
随着网络传输带宽的不断增加，存储和数据计算需求也在不断增加。
除了减少设计周期和降低SoC功耗和性能外，Iridium Technology的IP是业界领先的28 nm集成闪存工艺，可提供高速数据，能源管理，电子物联网电子产品，此外，移动通信等产品的设计。“
台积电设计与营销高级主管SukLee表示：“内置闪存技术对于支持智能操作，汽车电子和物联网至关重要。
M31的IP和TSMC内置的28nm闪存工艺技术可帮助设计人员优化SoC并平衡速度，面积和功耗。
“
SRAMCompilerIP由M31 Iridium Technology开发，采用TSMC集成的28 nm闪存工艺技术，功能齐全，支持多种节能模式。
用户可根据不同的工作条件切换到当前最佳节能模式，延长移动组件的电池寿命，为客户提供更多产品。
基于其卓越的技术特性，该IP系列可以完全集成到集成闪存处理平台中，并有望在今年第三季度被国际知名厂商使用。
未来，M31 Comet Technology将继续投资于IP开发和一些先进工艺技术的验证，为全球芯片设计行业提供独特的硅知识产权解决方案。
